7月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN121969039B，授权公告日为2026年7月28日。申请公布号为CN121969039A，申请号为CN202610407639.4，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2026年3月31日，发明人何杨、张劲，专利代理机构北京连和连知识产权代理有限公司，专利代理师刘楠，分类号H10P50/28、H10P50/68、H10D64/01。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，该方法包括：提供一具有栅极结构层的衬底，栅极结构层包括间隔设置的多个栅极；在栅极结构层背离衬底的一侧，形成栅极之间的牺牲层；在牺牲层背离衬底的一侧形成覆盖牺牲层和栅极结构层的第一氧化层；对第一氧化层进行刻蚀，以暴露牺牲层的上表面；去除牺牲层和位于自对准源漏接触区的第一氧化层和栅极结构层，以形成自对准金属层。本发明的技术方案通过牺牲层的制备与去除，降低了干法蚀刻的深宽比，并且提高了湿法刻蚀的反应空间，使得栅极间的氧化层能够被充分刻蚀，确保了衬底表面的氧化层能够完全清除，提高了自对准金属层的质量，降低了自对准金属层的接触电阻。
晶合集成是国内专注于晶圆代工领域的特色企业，专注12英寸晶圆代工赛道，车规级芯片制造技术优势突出。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地为安徽省合肥市，办公地涵盖安徽省合肥市与香港特别行政区。
晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供覆盖多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，同时布局MCU概念、集成电路、半导体产业相关概念板块。
2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家同赛道企业中排名第4，同期行业营收第一名中芯国际为673.23亿元、第二名华虹宏力为172.91亿元，行业营收平均数为166.12亿元，行业营收中位数为108.85亿元；营收构成中，集成电路晶圆制造代工业务收入103.57亿元，占比95.14%，其他(补充)业务收入4.97亿元，占比4.57%，其余业务收入3176.68万元，占比0.29%。同年公司实现净利润4.66亿元，同样在7家同赛道企业中位列第4，同期行业净利润第一名中芯国际为72.09亿元、第二名赛微电子为13.88亿元，行业净利润平均数为9.67亿元，行业净利润中位数为4.66亿元。
指标类别
具体指标
数值情况
行业排名/对比
营收核心数据
2025年营业收入
108.85亿元
4/7，行业中位数108.85亿元
营收构成
集成电路晶圆制造代工
103.57亿元，占比95.14%
-
营收构成
其他(补充)
元股证券:ygzq.hk4.97亿元，占比4.57%
-
营收构成
其他
3176.68万元，占比0.29%
-
股票杠杆配资入门净利润核心数据
2025年净利润
4.66亿元
4/7，行业中位数4.66亿元
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华2测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健3一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙4半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋5一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛6一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕7半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕9一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒10一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强11曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞12晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲13光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康14半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明15一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰16一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳17半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃18一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛19一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成20一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙21半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕22半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰23文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞24一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿25一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康26晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智27一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮28半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥29用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩30缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕31一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波32半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪33干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强34MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然35半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧36晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平37半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪38栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先39一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭40半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕41安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小42图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛43接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕44半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕45半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞46一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩47集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全48一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平49检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬50一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳外汇交易服务网站
正规券商极速开户提示：本文来自互联网，不代表本网站观点。
